Numéro de produit du fabricant:
IPI032N06N3 G
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPI032N06N3 G-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Description détaillée:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventaire:
12803633
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SOUMETTRE
IPI032N06N3 G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
OptiMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 118µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
13000 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
188W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO262-3
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numéro de produit de base
IPI032N
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
500
Autres noms
SP000451490
IPI032N06N3G
IPI032N06N3 G-DG
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FDI030N06
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
FDI030N06-DG
PRIX UNITAIRE
2.27
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN2R0-60ES,127
FABRICANT
NXP Semiconductors
QUANTITÉ DISPONIBLE
7334
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN2R0-60ES,127-DG
PRIX UNITAIRE
1.30
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFSL3206PBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
1600
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFSL3206PBF-DG
PRIX UNITAIRE
1.22
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
IPD90N03S4L03ATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
IRF5803D2TR
MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
IRF7401TRPBF
MOSFET N-CH 20V 8.7A 8SO
